图2、安装在氧化铝基板中的典型MMIC
图1显示了一个开发的卫星应用(芯片大小为3.5 X 1.5平方毫米)的三级MMIC低噪声放大器。输入和输出分别在芯片的左侧和右侧,焊盘处于地-信号-地模式,以使RF-on-晶圆(RFOW,RF-on-wafer)测量成为可能。该电路包含三个晶体管、九个电容、十个螺旋电感、七个电阻以及一定数量的互连微带线。
图3、世界上首个GaAs FET MMIC放大器
这种的无源组件被大量使用是必要的,因为无源组件在匹配网络中是必不可少的,以便增加在微波频率下晶体管获得更高的可用增益。在微波频率下设计的另一个特点是,互连走线对放大器有很大的影响,互连线和任何不连续的(例如弯曲的走线,T型结等)都必须使用微波CAD工具建模为微带元件。虽然MMIC可能比其他集成电路具有更低的表观复杂度,但它们确实提供了最高的可工作频率。这意味着MMIC具有特殊的应用范围,MMIC设计与传统的VLSI设计有很大的不同,其中CAD工具提供了高度的布局自动化。MMIC上互连线的重要传输性质要求设计者在布局过程中更多地参与进来。